IRLR024NTRPBF vs IRLR3105TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR024NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3105TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR024NTRPBF IRLR3105TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab)
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Rds(on) max @ VGS=10V — 37 mOhm
Rds(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Input Capacitance (Ciss) — 710 pF @ 25 V
Power Dissipation (Pd) at Tc — 57 W
Gate Drive Type — Logic-Level
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Supplier Device Package — TO-252AA (DPAK)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں