IRLR024NTRPBF vs IRLR3105TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR024NTRPBF توسط Infineon و IRLR3105TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR024NTRPBF IRLR3105TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab)
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Rds(on) max @ VGS=10V — 37 mOhm
Rds(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Input Capacitance (Ciss) — 710 pF @ 25 V
Power Dissipation (Pd) at Tc — 57 W
Gate Drive Type — Logic-Level
وضعیت RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Supplier Device Package — TO-252AA (DPAK)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت