IRLR024NTRPBF vs IRLR3105TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLR024NTRPBF bằng Infineon và IRLR3105TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR024NTRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLR024NTRPBF IRLR3105TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 65 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.0 V to 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical) 13.3 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 45 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ min/max]
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab)
Technology HEXFET (Advanced Process Technology) HEXFET (IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Gate Drive Level Logic-Level —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 25 A
Rds(on) max @ VGS=10V — 37 mOhm
Rds(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±16 V
Input Capacitance (Ciss) — 710 pF @ 25 V
Power Dissipation (Pd) at Tc — 57 W
Gate Drive Type — Logic-Level
Trạng thái RoHS — Compliant
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Supplier Device Package — TO-252AA (DPAK)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá