IRLR8726TRLPBF vs IRLR8726TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR8726TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR8726TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR8726TRLPBF IRLR8726TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 86 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 5.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +175C
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Family StrongIRFET —
RoHS Compliance ROHS3 Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLR8726TRPBF
Technology — StrongIRFET™ (HEXFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 86 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max — 5.8 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max]
Gate Charge Q_g (typ.) — 15 nC
Power Dissipation P_D — 75 W at T_C
پنز کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں