IRLR8726TRLPBF vs IRLR8726TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLR8726TRLPBF מאת Infineon ו IRLR8726TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRLR8726TRLPBF IRLR8726TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 86 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 5.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55C to +175C
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology Family StrongIRFET —
RoHS Compliance ROHS3 Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLR8726TRPBF
Technology — StrongIRFET™ (HEXFET)
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 30 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 86 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max — 5.8 mΩ at V_GS = 10 V
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max]
Gate Charge Q_g (typ.) — 15 nC
Power Dissipation P_D — 75 W at T_C
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
סטטוס RoHS — Compliant
נטול הלוגנים — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר