IRLR8726TRLPBF vs IRLR8726TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR8726TRLPBF bằng Infineon và IRLR8726TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRLR8726TRLPBF - 30V 86A N-Channel StrongIRFET™ MOSFET | Infineon
IRLR8726TRLPBF ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR8726TRLPBF | IRLR8726TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 86 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 5.8 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 75 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | StrongIRFET | — |
| RoHS Compliance | ROHS3 Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLR8726TRPBF |
| Technology | — | StrongIRFET™ (HEXFET) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 86 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance R_DS(on) max | — | 5.8 mΩ at V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) min/max] |
| Gate Charge Q_g (typ.) | — | 15 nC |
| Power Dissipation P_D | — | 75 W at T_C |
| Số lượng chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Đông trùng haogen | — | Yes |