IRLZ44ZPBF vs IRLZ44NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLZ44ZPBF بذریعہ Infineon اور IRLZ44NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLZ44ZPBF IRLZ44NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLZ44ZPBF —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 51 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 13.5 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V 22 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Total Gate Charge (Qg) 24 nC 32 nC
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Power Dissipation (PD) 80 W —
پیکیج TO-220AB TO-220AB (through-hole, 3 leads)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through-Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-Level (4.5V to 10V) —
Technology HEXFET HEXFET (advanced process)
Qualification Automotive (per manufacturer description) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں