IRLZ44ZPBF vs IRLZ44NPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLZ44ZPBF توسط Infineon و IRLZ44NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLZ44ZPBF | IRLZ44NPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLZ44ZPBF | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 51 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 13.5 mOhm | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | 22 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | 24 nC | 32 nC |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Power Dissipation (PD) | 80 W | — |
| بسته‌بندی | TO-220AB | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| نوع نصب | Through-Hole | Through Hole |
| Gate Drive Level | Logic-Level (4.5V to 10V) | — |
| Technology | HEXFET | HEXFET (advanced process) |
| Qualification | Automotive (per manufacturer description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±16 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 110 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.4 °C/W |
| Logic-Level Gate Drive | — | Yes (fully enhanced at VGS=5V) |