ISC011N04NM7VATMA1 vs IGL65R080D2XUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon اور IGL65R080D2XUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC011N04NM7VATMA1 | IGL65R080D2XUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | CoolGaN G5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | GaN-on-Si, 200 mm wafer |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TSON-8-U06 (ThinPAK 8x8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount, wettable flank |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, where stated) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 81 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 80 mΩ (typical) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Typical Applications | — | SMPS, totem-pole PFC, LLC, USB-PD adapters |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |