JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از JMTG070N06A بذریعہ Jiejie Micro اور DMN3190LDW-7 بذریعہ Diodes Incorporated. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | JMTG070N06A | DMN3190LDW-7 |
|---|---|---|
| برانڈ | Jiejie Micro | Diodes Incorporated |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Jiejie Micro (JJW) | — |
| Part Number | JMTG070N06A | — |
| Polarity / Type | N-channel Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 70 A | 1 A |
| On-Resistance RDS(ON) | < 6 mOhm @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | Advanced Trench MOSFET | Silicon N-Channel MOSFET |
| پیکیج | PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) | — |
| Lead Status | Lead free / RoHS compliant | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] | — |
| Thermal Resistance RthJA | [DATA_NEEDED: theta_JA] | — |
| Configuration | Single N-channel MOSFET | Dual, independent drains |
| FET Type | — | Dual N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 320 mW |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |