JMTG070N06A vs DMN3190LDW-7 So sánh
So sánh chi tiết song song của JMTG070N06A bằng Jiejie Micro và DMN3190LDW-7 bằng Diodes Incorporated. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | JMTG070N06A | DMN3190LDW-7 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Jiejie Micro | Diodes Incorporated |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Jiejie Micro (JJW) | — |
| Part Number | JMTG070N06A | — |
| Polarity / Type | N-channel Enhancement Mode | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 70 A | 1 A |
| On-Resistance RDS(ON) | < 6 mOhm @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | Advanced Trench MOSFET | Silicon N-Channel MOSFET |
| Hộp | PDFN5x6-8L (Power DFN 5x6 mm, 8 leads) | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (SMD) | Surface Mount |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | IAS = 27 A at VDD = 30 V, L = 0.5 mH, Rg = 25 ohm (TJ = 25 degC) | — |
| Lead Status | Lead free / RoHS compliant | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: TJ max and operating range] | — |
| Thermal Resistance RthJA | [DATA_NEEDED: theta_JA] | — |
| Configuration | Single N-channel MOSFET | Dual, independent drains |
| FET Type | — | Dual N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | 20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 320 mW |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Factory Pack Quantity | — | 3000 |