K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WF-BITD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WF-BITD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WF-BITD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
تنظیم 512M x 8 512M x 8
Die Generation D-die —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
انٹرفیس DDR4 (Double Data Rate 4) Parallel, DDR4 SSTL12
پیکیج FBGA-78 (PB) 78-ball FBGA (78FBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency] CL19 (typical at 2666 Mbps)
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4)
RoHS اسٹیٹس Compliant (PB lead-free suffix) —
ہیلوجن فری [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Datasheet Pages 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) —
Speed — 2666 Mbps (MT/s)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Voltage — 2.5 V
Bank Architecture — 8 banks x 4 bank groups
Burst Length — BL8
Termination — ODT / dynamic ODT
Data Mask — DM supported (x8)
Application Grade — Industrial

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں