K4A4G085WD-BCPB vs K4A4G085WF-BITD So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G085WD-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A4G085WF-BITD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WF-BITD
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Die Generation D-die —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Giao diện DDR4 (Double Data Rate 4) Parallel, DDR4 SSTL12
Hộp FBGA-78 (PB) 78-ball FBGA (78FBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] CL19 (typical at 2666 Mbps)
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4)
Trạng thái RoHS Compliant (PB lead-free suffix) —
Đông trùng haogen [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Datasheet Pages 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) —
Speed — 2666 Mbps (MT/s)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
VPP Voltage — 2.5 V
Bank Architecture — 8 banks x 4 bank groups
Burst Length — BL8
Termination — ODT / dynamic ODT
Data Mask — DM supported (x8)
Application Grade — Industrial

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá