K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WG-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WF-BITD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G085WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A4G085WF-BITD K4A4G085WG-BCWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Density 4 Gbit —
تنظیم 512M x 8 —
Speed 2666 Mbps (MT/s) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
VPP Voltage 2.5 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (BCW)
Bank Architecture 8 banks x 4 bank groups —
Burst Length BL8 BL8
CAS لیٹنسی CL19 (typical at 2666 Mbps) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (BGA) Surface Mount
انٹرفیس Parallel, DDR4 SSTL12 Parallel (DDR4)
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Termination ODT / dynamic ODT —
Data Mask DM supported (x8) —
Application Grade Industrial —
میموری سائز — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
ڈیٹا ریٹ — 3200 Mbps/pin
Speed Class — DDR4-3200
Technology — D-die DDR4
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Packaging — Tray

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں