K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WE-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WE-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2133 MT/s | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| پیکیج | FBGA-96 | FBGA-96 (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Generation | D-die | E-die |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | BL8 (JEDEC DDR4) |
| انٹرفیس | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | Parallel, x16 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (lead-free suffix) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| میموری سائز | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |