K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G165WF-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A4G165WD-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $8.20 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| انٹرفیس | SSTL-12 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| پیکیج | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| خصوصیات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (lead-free suffix) |
| Density | — | 4 Gbit |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | D-die |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Burst Length | — | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |