K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BIWE K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE - 8Gb DDR4-3200 1Gx8 DRAM | Samsung

K4A8G085WC-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB K4A8G085WC-BIWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
پیکیج 78-pin FBGA 78-FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
ڈیٹا ریٹ [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 3200 Mbps
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] Auto-refresh, self-refresh
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +95°C
انٹرفیس — POD-12
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
CAS لیٹنسی — 22 (CL22)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں