K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BIWE So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BIWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G085WB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Tổ chức | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Hộp | 78-pin FBGA | 78-FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| Tốc độ dữ liệu | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | 3200 Mbps |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Giao diện | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latency CAS | — | 22 (CL22) |
| Lead-Free | — | Yes |