K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری
Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت آخری بار خریداری فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
تنظیم 1G x 8 1G x 8
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps (PC4-2133) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
پیکیج 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Ball Pitch 0.8 mm —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C —
Standard Operating Temp Range 0C to +85C —
Burst Length 8 (chop 4) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
Data Mask Yes —
انٹرفیس ٹائپ Synchronous, parallel —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed — 2666 Mbps/pin (DDR4-2666)
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Clock Frequency — 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data)
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) — -40 C to +95 C
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) — 0 C to +95 C
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں