K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63CFR-PBL موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63CFR-PBL بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BCK00 H5TC4G63CFR-PBL
برانڈ Samsung Electronics SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 —
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speed Grade DDR3-1600 (800 MHz) —
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps/pin 1600 Mbps (PC3L-12800)
سپلائی وولٹیج 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V
I/O Voltage 1.35V —
پیکیج 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA (TFBGA)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 95°C (Tcase) —
Number of Banks 8 8
CAS لیٹنسی 11 (at 1600 Mbps) 11, 12, 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes Yes
میموری سائز — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Refresh Period — 7.8 us at 85C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں