K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63CFR-PBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics و H5TC4G63CFR-PBL بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| جهد التغذية | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| زمن الوصول CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |