K9XXG08U0M vs K9LCG08U1M موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9XXG08U0M بذریعہ Samsung Electronics اور K9LCG08U1M بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9LCG08U1M K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K9XXG08U0M K9LCG08U1M
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Flash
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
میموری ٹائپ NAND Flash NAND Flash, MLC
Density 8 G-bit 64 Gbit (8 GB)
تنظیم 1G x 8 bit x8 I/O
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
سپلائی وولٹیج 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) [DATA_NEEDED: supply voltage]
انٹرفیس 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) Asynchronous multiplexed NAND I/O
Page Read Time 20 us [DATA_NEEDED: page read time]
پیکیج 48-pin TSOP-I BGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) MLC (2 bits per cell)
ECC Requirement External ECC by host controller —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Ordering Codes — K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں