K9XXG08U0M vs K9MDG08U5M موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K9XXG08U0M بذریعہ Samsung Electronics اور K9MDG08U5M بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K9XXG08U0M K9MDG08U5M
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت Obsolete فعال
میموری ٹائپ NAND Flash MLC Large Block NAND Flash
Density 8 G-bit 16 Gbit (2 GB)
تنظیم 1G x 8 bit 16G x 8 bit
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
سپلائی وولٹیج 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) —
انٹرفیس 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) Asynchronous x8 multiplexed address/data
Page Read Time 20 us —
پیکیج 48-pin TSOP-I 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) MLC (2 bits per cell)
ECC Requirement External ECC by host controller —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں