MRF6S9045NBR1 vs MRF9030MBR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S9045NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF9030MBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF6S9045NBR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF9030MBR1 MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale

MRF9030MBR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S9045NBR1 MRF9030MBR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola)
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Technology Lateral DMOS, RF power —
Operating Frequency Up to 1000 MHz (typical 880 MHz) —
Drain-Source Voltage (V DSS min) 68 V —
Typical Operating Drain Voltage (V DD) 28 V —
Quiescent Drain Current (I DQ) 350 mA —
Output Power (P out avg) 10 W —
Power Gain (G ps) 22.7 dB at 880 MHz —
Drain Efficiency (η D) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Maximum Power Dissipation (P D max) 175 W —
Configuration Single, common-source Single, common-source
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (flange/ceramic) Surface Mount (flanged ceramic)
پیکیج / کیس NI-880H-2L (TO-272-2 variant) —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page]
Lead-Free Yes —
Part Family — RF Sub-Micron MOSFET Line
Typical Output Power — 30 W at 945 MHz
Operating Frequency Range — DC to 1000 MHz
Power Gain (typical) — 20 dB
Drain-Source Voltage (Vds) Rating — 26 V
Typical Bias Current — 250 mA
پیکیج — TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged)
Maximum Dissipation (per Partstack) — 139 W
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — 3
Application — Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier
Polarity / Channel Mode — N-Channel, enhancement-mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں