MRF6S9045NBR1 vs MRF9030MBR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF6S9045NBR1 bằng NXP Semiconductors và MRF9030MBR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 - 880MHz 10W RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF6S9045NBR1 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF9030MBR1 - 30W, 945MHz RF Power MOSFET | NXP / Freescale
MRF9030MBR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF6S9045NBR1 | MRF9030MBR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | NXP Semiconductors (formerly Freescale / Motorola) |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | Lateral DMOS, RF power | — |
| Operating Frequency | Up to 1000 MHz (typical 880 MHz) | — |
| Drain-Source Voltage (V DSS min) | 68 V | — |
| Typical Operating Drain Voltage (V DD) | 28 V | — |
| Quiescent Drain Current (I DQ) | 350 mA | — |
| Output Power (P out avg) | 10 W | — |
| Power Gain (G ps) | 22.7 dB at 880 MHz | — |
| Drain Efficiency (η D) | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| Maximum Power Dissipation (P D max) | 175 W | — |
| Configuration | Single, common-source | Single, common-source |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (flange/ceramic) | Surface Mount (flanged ceramic) |
| Hộp / Vỏ | NI-880H-2L (TO-272-2 variant) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status from manufacturer page] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Part Family | — | RF Sub-Micron MOSFET Line |
| Typical Output Power | — | 30 W at 945 MHz |
| Operating Frequency Range | — | DC to 1000 MHz |
| Power Gain (typical) | — | 20 dB |
| Drain-Source Voltage (Vds) Rating | — | 26 V |
| Typical Bias Current | — | 250 mA |
| Hộp | — | TO-272-2 (ceramic, 2-lead flanged) |
| Maximum Dissipation (per Partstack) | — | 139 W |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | — | 3 |
| Application | — | Broadband RF power amplifier / large-signal common-source amplifier |
| Polarity / Channel Mode | — | N-Channel, enhancement-mode |