MRF8S9120NR3 vs MRF8P9040NR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF8S9120NR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF8P9040NR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF8S9120NR3 MRF8S9120NR3 - 33W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9120NR3 - 33W RF Power MOSFET 865-960MHz | NXP

MRF8S9120NR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF8P9040NR1 MRF8P9040NR1 - 40W 960MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF8P9040NR1 - 40W 960MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors

MRF8P9040NR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF8S9120NR3 MRF8P9040NR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
Part Number MRF8S9120NR3 —
ٹرانزسٹر کی قسم Lateral N-Channel MOSFET, Enhancement-Mode N-Channel Lateral MOSFET (RF Power)
Application W-CDMA / cellular base station RF power amplifier final stage —
Operating Frequency Range 865 MHz to 960 MHz (usable 700-1000 MHz) 728 MHz to 960 MHz
Drain Supply Voltage (VDD) 28 V —
Average Output Power 33 W (W-CDMA, single-carrier) —
Power Gain (typical) 19.8 dB —
Quiescent Drain Current (IDQ) 800 mA typical —
پیکیج OM-780-2 (ceramic air-cavity, flange mount) TO-272 WB-4 (air-cavity overmold, 4 lead + flange)
ماؤنٹنگ ٹائپ Flange / chassis mount (through-hole RF package) Surface Mount / Flange Mount
Operating Class Class AB, Class C —
Modulation Formats Supported W-CDMA, LTE, GSM/EDGE, multi-carrier CDMA, W-CDMA, LTE
Maximum Junction Temperature [DATA_NEEDED: maximum junction temperature] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Finish Gold metallisation (typical for HV8 process) —
Technology — HV8 Lateral N-Channel Enhancement-Mode
Drain-Source Voltage (Vdss) Max — 70 V
Continuous Drain Current (Id) — 320 mA (per DigiKey listing)
Test Drain Supply Voltage — 28 V
Output Power (Pout) Avg — 4.0 W (CW / modulated at 28 V, 960 MHz)
Power Gain (Gps) at 960 MHz — 19.1 dB
پن کی تعداد — 4 (Drain on flange)
PA Topology Suitability — Class AB, Class C
MSL لیول — 3
Lead-Free — Yes (per typical NXP HV8 family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں