NT5AD512M16A4-HR vs H5AN8G6NCJR-VKC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5AD512M16A4-HR بذریعہ Nanya Technology اور H5AN8G6NCJR-VKC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-HR NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-HR ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5AD512M16A4-HR H5AN8G6NCJR-VKC
برانڈ Nanya Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
تنظیم 512M x 16 —
Density 8 Gb —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps (PC4-25600) 2666 Mbps (MT/s)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C 0C to +95C
پیکیج TFBGA-96 FBGA-96
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
میموری سائز — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
انٹرفیس — Parallel
Standby Current — 28 mA
Operating Current — 45 mA
خصوصیات — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per datasheet description)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
لائف سائیکل کی حالت — Active

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں