NT5AD512M16A4-HR vs H5AN8G6NCJR-VKC 比較
詳細並排比較 NT5AD512M16A4-HR 由 Nanya Technology 與 H5AN8G6NCJR-VKC 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5AD512M16A4-HR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | SK hynix |
| 類別 | Memory ICs | DRAM |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 組織 | 512M x 16 | — |
| Density | 8 Gb | — |
| 供應電壓 | 1.2 V | — |
| 資料速率 | 3200 Mbps (PC4-25600) | 2666 Mbps (MT/s) |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C | 0C to +95C |
| 封裝 | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| 介面 | — | Parallel |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| 功能特色 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |
| 生命週期狀態 | — | Active |