SSM3K35CT vs SSM3K35CT-L3F موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از SSM3K35CT بذریعہ Toshiba اور SSM3K35CT-L3F بذریعہ Toshiba. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر SSM3K35CT SSM3K35CT-L3F
برانڈ Toshiba Toshiba
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel N-Channel
MOSFET Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 0.18 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 Ω at VGS = 4 V —
Gate Threshold Voltage (Vth) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max gate-source voltage] —
Power Dissipation (PD) 100 mW (Ta) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج SOT-883 (CST3), 3-pin leadless SOT-883 (CST3), 3 pins
Package Outline Code CST3 (Toshiba internal), 2-1J1B —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Application Category High-Speed Switching / Analog Switches —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (L3F suffix)
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (V(DSS)) — 20 V
Gate-Source Voltage (V(GSS)) — ±10 V (per datasheet, [DATA_NEEDED: exact value])
Continuous Drain Current (I(D)) — 0.18 A (180 mA)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS = 2.5 V]
Power Dissipation (P_D) — 500 mW (Ta) / [DATA_NEEDED: Ta condition]
Package Size — 1.0 mm x 0.6 mm, max height 0.5 mm
آپریٹنگ درجہ حرارت — [DATA_NEEDED: junction/storage temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Tape and Reel — 8 mm embossed carrier, 3,000 pcs/reel (L3F suffix)
Manufacturer — Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں