STW45NM60-H vs SPW47N60C3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STW45NM60-H بذریعہ STMicroelectronics اور SPW47N60C3 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STW45NM60-H SPW47N60C3
برانڈ STMicroelectronics Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MDmesh (super-junction) CoolMOS C3 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V (650 V at TJMAX) —
Continuous Drain Current (ID) 45 A at Tc = 25 °C —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) 417 W at Tc = 25 °C —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 Ω typical at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V typical —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3)
پیکیج TO-247-3 (through-hole) TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
dv/dt Capability High —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Number — SPW47N60C3
Manufacturer — Infineon Technologies AG
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 47 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 415 W
RDS(on) (typical) — 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: nanocoulombs]
Output Capacitance Eoss @ 400V — Very low (per C3 series datasheet)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (G, D, S)
Lead-Free — Yes
MSL لیول — N/A (through-hole)
Series — CoolMOS C3 (600V generation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں