VNQ660SP vs VNQ660SPTR-E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از VNQ660SP بذریعہ STMicroelectronics اور VNQ660SPTR-E بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر VNQ660SP VNQ660SPTR-E
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
فنکشن Quad Channel High-Side Solid State Relay Quad-channel high-side solid-state relay
Number of Channels 4 4
آؤٹ پٹ کنفیگریشن High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs CMOS logic-level inputs
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
تھرمل شٹ ڈاؤن Yes —
Current Limitation Yes —
پیکیج PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm typical (per channel)
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں