VNQ660SP vs VNQ660SPTR-E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של VNQ660SP מאת STMicroelectronics ו VNQ660SPTR-E מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר VNQ660SP VNQ660SPTR-E
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number VNQ660SP —
Manufacturer STMicroelectronics —
Technology VIPower M0-3 ST VIPower M0-3 (vertical DMOS)
פונקציה Quad Channel High-Side Solid State Relay Quad-channel high-side solid-state relay
Number of Channels 4 4
תצורת מוצא High-Side (N-Channel MOSFET) —
On-Resistance RDS(on) per Channel 50 mΩ (typical) —
Continuous Output Current per Channel 6 A —
Supply Voltage VCC 10 V to 36 V —
Input Compatibility CMOS-compatible logic inputs CMOS logic-level inputs
Open-Load Detection Yes (off-state) —
Undervoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Shutdown Yes —
Overvoltage Clamp Yes (active avalanche) —
כיבוי תרמי Yes —
Current Limitation Yes —
מארז PowerSO-10 (10-pin with exposed pad) PowerSO-10 with exposed bottom pad
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Switch Type — High-side N-channel power MOSFET
Supply Voltage (VCC) — 6 V to 36 V
Maximum Continuous Output Current (per channel) — 6 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 40 mOhm typical (per channel)
Protection Features — Thermal shutdown, overvoltage clamp, undervoltage shutdown, open-load detection (off state), reverse battery protection
Status Feedback — Analog status flag per channel
Off-State Quiescent Current — [DATA_NEEDED: standby Iq]
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Maximum Power Dissipation — 113.6 W (with proper thermal design)
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר