1EDN7146GXTMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDN7146GXTMA1 bằng Infineon và 2ED2108S06FXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
2ED2108S06FXUMA1 - 650V 0.7A Half-Bridge Gate Driver | Infineon
2ED2108S06FXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDN7146GXTMA1 | 2ED2108S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | — |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | — |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Hộp | PG-VSON-10-4 | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| Driver Configuration | — | Half-Bridge |
| Gate Type | — | N-Channel MOSFET, IGBT |
| Số lượng đầu ra | — | 2 (high-side + low-side) |
| Logic Input | — | Non-Inverting |
| Input Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| High-Side Bootstrap Voltage Rating | — | 650 V |
| Peak Source Current (typ.) | — | 0.29 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 0.7 A |
| Integrated Bootstrap Diode | — | Yes |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VB) |
| Propagation Delay (typ.) | — | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] |
| Rise / Fall Time (typ.) | — | [DATA_NEEDED: tr/tf ns] |