1EDN7146GXTMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7146GXTMA1 מאת Infineon ו 2ED2108S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7146GXTMA1 2ED2108S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-VSON-10-4 PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
מספר יציאות — 2 (high-side + low-side)
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VB)
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר