AS4C512M16D4B-62BCNTR vs MT40A512M16TB-062E:R So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4B-62BCNTR bằng Alliance Memory và MT40A512M16TB-062E:R bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C512M16D4B-62BCNTR MT40A512M16TB-062E:R
Thương hiệu Alliance Memory Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $60,00
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit (512M x 16)
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz 1600 MHz
Latency CAS 19 ns 22
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Giao diện Parallel Parallel
Hộp 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C 0°C to +95°C
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Tổ chức 512M x 16 —
Revision Rev.B —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Bề rộng đường dữ liệu — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Tính năng — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá