BFU520AR vs BFU520R So sánh
So sánh chi tiết song song của BFU520AR bằng NXP Semiconductors và BFU520R bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BFU520AR | BFU520R |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | Transistors | Transistors |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | NPN wideband silicon RF BJT | NPN wideband silicon RF BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | 12 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) | 30 mA | — |
| Tần số chuyển đổi (ft) | 10 GHz | 10.5 GHz |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 450 mW | — |
| Hộp | SOT-23 (TO-236AB), 3-pin | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive qualified per distributor listing) | — |
| Product Family | BFU5 wideband RF transistor family | — |
| Intended Application Band | Small signal to medium power up to 2 GHz | — |
| Polarity | NPN | — |
| Noise Figure | [DATA_NEEDED: noise figure] | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Reel (R suffix, tape and reel) | — |
| N Nap-Emit (Vceo) | — | 12 V |
| Collector Current (IC max) | — | 30 mA |
| Total Power Dissipation | — | 450 mW |
| Frequency Range | — | up to 2 GHz application range |
| Noise Performance | — | Low noise, high breakdown |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Family | — | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) |
| Configuration | — | Single NPN, dual-emitter |
| Application Class | — | Small signal to medium power |
| Gain | — | [DATA_NEEDED: gain] |