BFU520AR vs BFU520R השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BFU520AR מאת NXP Semiconductors ו BFU520R מאת NXP Semiconductors. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BFU520AR | BFU520R |
|---|---|---|
| מותג | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| קטגוריה | Transistors | Transistors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | NPN wideband silicon RF BJT | NPN wideband silicon RF BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCEO) | 12 V | — |
| Continuous Collector Current (IC) | 30 mA | — |
| תדר מעבר (ft) | 10 GHz | 10.5 GHz |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 450 mW | — |
| מארז | SOT-23 (TO-236AB), 3-pin | SOT-143B (4-pin, dual-emitter, plastic) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive qualified per distributor listing) | — |
| Product Family | BFU5 wideband RF transistor family | — |
| Intended Application Band | Small signal to medium power up to 2 GHz | — |
| Polarity | NPN | — |
| Noise Figure | [DATA_NEEDED: noise figure] | [DATA_NEEDED: noise figure in dB] |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: hFE] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Reel (R suffix, tape and reel) | — |
| מתח אספן-פולט (Vceo) | — | 12 V |
| Collector Current (IC max) | — | 30 mA |
| Total Power Dissipation | — | 450 mW |
| Frequency Range | — | up to 2 GHz application range |
| Noise Performance | — | Low noise, high breakdown |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Family | — | BFU5 (BFU5x wideband silicon RF transistors) |
| Configuration | — | Single NPN, dual-emitter |
| Application Class | — | Small signal to medium power |
| Gain | — | [DATA_NEEDED: gain] |