BSL316CH6327XTSA1 vs BSS816NWH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSL316CH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS816NWH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 - 30V 1.5A Complementary MOSFET | Infineon

BSL316CH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 - 20V 1.4A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS816NWH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSL316CH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS small-signal complementary MOSFET BSS816NW (OptiMOS 2 Small-Signal)
Configuration Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) 1.4 A —
Continuous Drain Current (P-channel ID) 1.5 A —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Hộp PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin) SOT-323 (PG-SOT323), 3-pin
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Technology OptiMOS low-voltage MOSFET OptiMOS 2 trench MOSFET
Channel Type N-channel + P-channel (dual) —
Số chân 6 —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Kiểu transitor — MOSFET, N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
RDS(on) max @ VGS=4.5V — 160 mOhm
RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
ESD Protection — Yes (integrated, per Infineon datasheet)
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá