BSS192PH6327FTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS192PH6327FTSA1 bằng Infineon và BSL308PEH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS192PH6327FTSA1 | BSL308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | P-Channel | 2x P-Channel (Dual) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 1 W (Ta) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8 V, 10 V | — |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] | — |
| Vgs(th) (Max) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] | — |
| Vgs(th) (Typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] | — |
| Hộp | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per distributor listing) | AEC-Q101 |
| Series | SIPMOS Small-Signal-Transistor | OptiMOS |
| Part Status | Active | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Configuration | — | Dual, common source |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Số lượng chân | — | 6 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] |