BSS192PH6327FTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS192PH6327FTSA1 توسط Infineon و BSL308PEH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 - P-Ch 250V 190mA MOSFET SOT-89 | Infineon

BSS192PH6327FTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS192PH6327FTSA1 BSL308PEH6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel 2x P-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
بسته‌بندی PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor OptiMOS
Part Status Active —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) — -2 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Configuration — Dual, common source
دمای کاری — -55 C to +150 C (TJ)
تعداد پین‌ها — 6
Channel Mode — Enhancement
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت