CGD65A130S2 vs CGD65B130S2 So sánh
So sánh chi tiết song song của CGD65A130S2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65B130S2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 ✓ Hoạt độngCambridge GaN Devices
CGD65B130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices
CGD65B130S2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | CGD65A130S2 | CGD65B130S2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Technology | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | 650 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typ) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Gate Charge (Qg, total) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] | [DATA_NEEDED: output capacitance] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (GaN - negligible) | 0 nC (zero) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40°C to +150°C | — |
| Hộp | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad | 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Features | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Kiểu transitor | — | GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 130 mΩ (typical) |
| Gate Technology | — | ICeGaN™ (standard-driver compatible) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: input capacitance] |
| Rise Time / Fall Time | — | Sub-nanosecond (per datasheet typical application) |
| Substrate Technology | — | GaN-on-silicon |