CGD65A130S2 vs CGD65B130S2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A130S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65B130S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | CGD65A130S2 | CGD65B130S2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Technology | GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | 650 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 130 mΩ (typ) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C] | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Gate Charge (Qg, total) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V] | [DATA_NEEDED: output capacitance] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (GaN - negligible) | 0 nC (zero) |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -40°C to +150°C | — |
| پیکیج | DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad | 8-DFN 5x6 mm with exposed thermal pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Features | Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | GaN HEMT (enhancement mode, N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 130 mΩ (typical) |
| Gate Technology | — | ICeGaN™ (standard-driver compatible) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge at VGS=10V] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: input capacitance] |
| Rise Time / Fall Time | — | Sub-nanosecond (per datasheet typical application) |
| Substrate Technology | — | GaN-on-silicon |