CGD65A130SH2 vs CGD65A130S2 So sánh

So sánh chi tiết song song của CGD65A130SH2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65A130S2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Cambridge GaN Devices
CGD65A130SH2 CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices

CGD65A130SH2 - 650V GaN HEMT 12A 55mΩ ICeGaN | Cambridge GaN Devices

CGD65A130SH2 ✓ Hoạt động
Cambridge GaN Devices
CGD65A130S2 CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 - 650V 130mΩ GaN HEMT | Cambridge GaN Devices

CGD65A130S2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số CGD65A130SH2 CGD65A130S2
Thương hiệu Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor GaN HEMT, N-Channel, Enhancement Mode —
Technology GaN-on-Si with ICeGaN® gate GaN-on-Si HEMT (enhancement-mode, ICeGaN™ gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) 12 A [DATA_NEEDED: continuous ID at 25°C and 100°C]
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ (typical) —
Hộp 16-DFN (8x8 mm) with exposed thermal pad DFN-16 (8 × 8 mm) with exposed pad
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold ICeGaN® 5 V compatible gate-threshold window —
Current Sense Pin Integrated CS output (digital/analog ratio) with NL³ circuit —
Reverse Recovery Charge (Qrr) Near zero (GaN intrinsic; datasheet figure) 0 nC (GaN - negligible)
Switching Frequency Suitability Up to several MHz (typical GaN-HEMT range) —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: full -40C to +150C TJ range] —
Cấp MSL MSL3 (typical for 16-DFN GaN packages) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
Manufacturer — Cambridge GaN Devices
Drain-Source Voltage (VDS, max) — 650 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 130 mΩ (typ)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Gate Charge (Qg, total) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss value at VDS=400V]
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V (ICeGaN robust gate; see datasheet)
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40°C to +150°C
Integrated Features — Current sense, Miller clamp (NL³), ICeGaN gate

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá