EP4CE75F29I7 vs EP4CE115F23I7N So sánh
So sánh chi tiết song song của EP4CE75F29I7 bằng Intel và EP4CE115F23I7N bằng Intel. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | EP4CE75F29I7 | EP4CE115F23I7N |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Intel | Intel |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Series | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | — |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | — |
| User I/O Count | 426 | — |
| Hộp | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 °C to +100 °C (Industrial) | -40C to +100C (Industrial) |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | — |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | — |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 3 (168 hours) | 3 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Family | — | EP4CE115 (F23 package) |
| Logic Elements (LE) | — | 114,480 |
| Embedded Memory Bits | — | 3,981,312 bits |
| Maximum User I/Os | — | 280 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 7,180 |
| Number of PLLs | — | 4 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 266 |
| Core Voltage | — | 1.0 V / 1.2 V |
| I/O Voltage Banks | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Process Technology | — | 60 nm low-power CMOS (TSMC) |
| Configuration Method | — | JTAG, Active Serial, Active Parallel |
| Lead-Free | — | Yes |