FDS6575 vs IRF7105TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của FDS6575 bằng onsemi và IRF7105TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | FDS6575 | IRF7105TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | onsemi | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -10 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 2.5 V to 8 V | — |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | PowerTrench (rugged gate) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Hộp | SOIC-8 (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: junction temperature range] |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Series | — | IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) |
| Polarity / Configuration | — | N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) | — | 3.5 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) | — | 2.3 A |
| Rds(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Total Package Power Dissipation (Pd) | — | 2 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Packaging Form | — | Tape & Reel (TR) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant |
| Số chân | — | 8 |