FF2000R17T2P8 vs FF1400R17T2P8 So sánh
So sánh chi tiết song song của FF2000R17T2P8 bằng Infineon và FF1400R17T2P8 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | FF2000R17T2P8 | FF1400R17T2P8 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | IGBTs | IGBTs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Cấu trúc | Half-Bridge (2-in-1) | — |
| Package Platform | XHP 2 (XHPTM2) | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCES) | 1700 V | 1700 V |
| Nominal DC Collector Current | 2000 A | — |
| IGBT Technology | TRENCHSTOP IGBT8 trench field-stop | — |
| Diode Technology | Emitter controlled 8 (EC8) soft recovery | — |
| Integrated Temperature Sensor | NTC | NTC thermistor |
| Kiểu lắp đặt | Chassis Mount Module | Chassis Mount |
| Applications Grade | Industrial / traction / wind | — |
| Short-Circuit Capability | Short-circuit rated per datasheet | — |
| N Nap-Emit (Vce(sat)) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical] | — |
| Gate-Emitter Voltage (VGES) | [DATA_NEEDED: maximum VGES] | — |
| Thermal Resistance Junction to Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj range] | — |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: maximum Ptot] | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | — | TRENCHSTOP IGBT8, EC8 diode |
| Configuration | — | Half-bridge (Chopper 2) |
| Hộp | — | XHP 2 (AG-XHP2K17) |
| Nominal Collector Current (IC nom) | — | 1400 A |
| Repetitive Peak Collector Current (ICRM) | — | 2800 A |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Freewheeling Diode | — | EC8 emitter controlled, soft fast recovery |
| Qualification | — | Industrial, per relevant tests of IEC 60747, 60749, 60068 |
| DC-Link Voltage Class | — | Approx. 1000 V to 1100 V typical |
| Module Stray Inductance | — | [DATA_NEEDED: internal stray inductance] |
| Thermal Resistance Junction to Case (RthJC IGBT) | — | [DATA_NEEDED: RthJC per IGBT] |
| Gate-Emitter Threshold Voltage | — | [DATA_NEEDED: VGE(th)] |
| Tiêu hao điện năng (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: total power dissipation] |