IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUZ18N10S5L420ATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S5L280DATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 - 100V 18A 42mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon
IAUZ18N10S5L420ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Configuration | Single with built-in diode | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (junction) |
| Số chân | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |