IAUZ18N10S5L420ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUZ18N10S5L420ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IAUZ18N10S5L420ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 100V | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V to 2.7 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ. | 8.5 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3x3.3 mm | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Configuration | Single with built-in diode | Dual N-Channel MOSFET Array |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | 1 | 1 |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction) |
| מספר פינים | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |