IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUZ30N08S5N186ATMA1 bằng Infineon và IAUC50N08S5L096ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUZ30N08S5N186ATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 41 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (automotive) | -55°C to +175°C |
| Hộp | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |