IAUZ30N08S5N186ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZ30N08S5N186ATMA1 توسط Infineon و IAUC50N08S5L096ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 - 80V 18.6mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N08S5N186ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUZ30N08S5N186ATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET (trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 41 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 18.6 mΩ (typical, VGS = 10 V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (automotive) | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-32 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |